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AON6414AL  与  BSC080N03LS G  区别

型号 AON6414AL BSC080N03LS G
唯样编号 A-AON6414AL A-BSC080N03LS G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8 mΩ @ 20A,10V 6.7mΩ
上升时间 - 2.8ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),31W(Tc) 35W
Qg-栅极电荷 - 21nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 30S
典型关闭延迟时间 - 15ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-DFN(5x6) -
连续漏极电流Id 13A(Ta),30A(Tc) 53A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
栅极电荷Qg 24nC @ 10V -
下降时间 - 2.6ns
典型接通延迟时间 - 3.3ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6414AL AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
BSC057N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC057N03MS G_8-PowerTDFN

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BSC079N03SG Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

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BSC080N03LSGATMA1_5.9mm

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BSC080N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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BSC886N03LS G Infineon 功率MOSFET

BSC886N03LSGATMA1_5.9mm

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